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制程检验培训资料

上传者:hnxzy51 |  格式:ppt  |  页数:37 |  大小:10546KB

文档介绍
山东舜亦新能源有限公司РIPQC制程检验作业培训指导书Р 品管部Р一、范围Р公司生产的所有156*156规格的多晶硅块。Р二、定义Р870*870*480mm坩埚铸出的多晶硅碇切方成156*156规格的多晶硅块定义为大锭硅块。?870*870*420mm坩埚铸出的多晶硅碇切方成156*156规格的多晶硅块定义为小锭硅块。?n-型半导体(n-type semiconductor):多数载流子为电子的半导体。?p-型半导体(p-type semiconductor):多数载流子为空穴的半导体。?少数载流子寿命(minority carrier lifetime):晶体中非平衡载流子由产生到复合存在的平均时间间隔,它等于非平衡少数载流子浓度衰减到起始值的1/e(e =2.718)所需的时间。又称少数载流子寿命,体寿命。Р三、职责Р品质工程师负责本作业指导书的编制及修订,并负责检验员相应的作业指导及培训。?品质检验员严格依照本作业指导书所送多晶硅块进行检验,并依据检验结果填写相应的检验记录。Р四、作业培训内容РIPQC检测室硅块检测流程图Р外观检验Р硅块转入Р垂直度检验Р边宽长度检验Р导电类型检验Р硅块转出Р电阻率检验Р红外探伤检验Р少子寿命检验Р硅块判定Р硅块检验操作指导步骤?外观检验Р确认所送硅块的箭头标示是否清楚,每个硅块的随工单信息填写是否完整,且与硅块表面标识信息(硅锭号与硅块号)是否一致,以及确认边角料的数量。Р标识硅块编号与硅碇号后四位Р标识多晶硅碇随工单Р外观检验Р与硅片事业部送检人员共同确认每个硅块的外观质量状况,如有崩边、崩块等外观问题,使用游标卡尺测量缺陷的长度(沿硅碇的长晶方向测量),并把这些信息准确填写在品质记录上和对应的硅块随工单上。Р缺陷长度测量图示

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