可忽略。 2、电子扩散的同时,在基区将与空穴相遇产生复合。由于基区空穴浓度低,且基区做得很薄, 因此,复合的电子是极少数。 3、绝大多数到基区的电子均能扩散到集电结处,并在集电结电场作用下到达集电区。 4、因集电结反偏,集电区和基区中少子在结电场作用下漂移, 形成很小的且与集电结的反偏压无关的反向饱和电流。 eb c I EI BI C 发射结正偏集电结反偏外电场方向 NN PI CBO 1、大量电子 N 2通过很薄的基极被集电极吸收, 少量电子 N 1在基极与空穴复合。 N 2和N 1的比例由三极管内部结构决定。在不考虑 I CBO 时: I C/I B=N 2/N 1=β 2、以上公式是右方电路满足发射结正偏、集电结反偏时得到的,一旦外界条件改变到不再满足这两个条件,则以上公式不再成立。电流分配关系?? B CEO B CBO B C BCE B C I B C E C I E CIIIIII III I II I I II I CBO CBO?????????????????????????????????????????1 11 0 0- = + =电压分配关系 U BE正向导通:硅管大约 0.7V 锗管大约 0.2V U CE=-I C*R c≈-βI B*R c三极管的放大原理归结为: 内部机制: 发射区高掺杂,基区很薄,集电结面积大外部条件: 发射结正偏,集电结反偏载流子传输: 发射区向基区提供载流子基区传送和控制载流子集电区收集载流子很小的 I B控制 I CI C = βI B 基极电流和集电极电流除直流分量外还有交流分量,且 i C = βi B。放大电路是在 u i的作用下,改变 i B, 并通过 i B控制直流电源供给集电极电流 i C,使其产生相应的交流分量, 并在足够大的 R C上形成较大的电压降,就有了可供输出的经放大的交流电压 u o。
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