－Р－Р－Р－Р－Р－Р－Р－Р－Р－Р－Р－Р－РN型半导体Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р扩散运动Р内电场EРР内电场越强，就使漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。РРРР漂移运动РP型半导体Р－Р－Р－Р－Р－Р－Р－Р－Р－Р－Р－Р－Р－Р－Р－Р－Р－Р－Р－Р－Р－Р－Р－Р－РN型半导体Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р扩散运动Р内电场EРР所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡，相当于两个区之间没有电荷运动，空间电荷区的厚度固定不变。РРРР因浓度差Р空间电荷区形成内电场Р? 内电场促使少子漂移Р?内电场阻止多子扩散Р最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。Р多子的扩散运动Р由杂质离子形成空间电荷区? Р在一块本征半导体的两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。РPN结的形成РРРР(2) PN结的单向导电性Р① PN 结加正向电压（正向偏置）РP接正、N接负РIFРPN 结加正向电压时，正向电流较大，正向电阻较小，PN结处于导通状态。РPРNРР－Р－Р－Р－Р－Р－Р－Р－Р－Р－Р－Р－Р－Р－Р－Р－Р－Р－Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р–Р外电场РPN正偏动画РРРР② PN 结加反向电压（反向偏置）РIRРP接负、N接正РРPРNР+Р+Р+Р－Р－Р－Р－Р－Р－Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р－Р－Р－Р－Р－Р－Р－Р－Р－Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р－Р－Р－Р温度越高少子的数目越多，反向电流将随温度增加。Р–Р+РPN 结加反向电压时，反向电流较小，反向电阻较大，PN结处于截止状态。Р外电场РPN反偏动画
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