列微控制器Р Р 高频晶体/陶瓷谐振器工作时等效电路与图 3.1中低Р频晶体/陶瓷谐振器的等效电路相同。Р 正确选择 CL 才能够保证 MCU 工作在适当的频率Р下。对 CL 的选择方法详见 AN0016《振荡器设计注意事Р项》。Р3.3.2 高频外部时钟Р EFM32 系列MCU可通过外部高频时钟源提供时钟。Р Р为了选择合适的外部时钟源,需要考虑诸如频率、时效、Р稳定性、电压灵敏度、上升和下降时间、占空比和信号图 3.3 高频晶振连接电路Р电平等参数。外部时钟信号可以是方波信号或正弦波信Р号,信号频率需符合器件数据手册中所要求的范围。外部时钟源同MCU的连接电路如 4图 3.Р所示。Р 当外部时钟源为方波信号时,HFXO 缓冲区必须配置Р为旁路模式。时钟的幅值必须在 0 和 VDD 之间,且占空比Р接近 50%。当使用正弦信号作为外部时钟源时,正弦波振Р幅必须与器件数据手册中所规定的振幅一致(峰峰值大于Р等于 200mV)。正弦信号需通过 HFXO 缓冲区进行缓冲。Р3.4 PCB设计注意事项图 3.4 外部高频时钟Р 晶振、外部电容与 MCU 之间的 PCB 布线应尽可能短。晶体振荡器中只有很少的电流Р流过,较长的走线会使其对 EMC、ESD 和串扰等更加敏感。长布线也会增大寄生电容和串Р联电阻,从而缩小振荡器的起振范围。Р 建议使用地将晶振的走线包围,且尽可能使其它切换频率较高的时钟和信号线远离晶振Р与 MCU 的连接线。在晶振和负载电容下面铺地可减少来自其它层的干扰。Р 由于在晶振中只有微小电流流过,因此 PCB 表面应尽量避免污垢和焊渣。随着时间的Р前进,这些污染物会降低振荡器的性能并增加能量损耗。在恶劣的操作环境中,建议将 PCBР密封以保持干净。Р 产品应用笔记©2012 Guangzhou ZLGMCU Technology Co., LTD. Р Р 5
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