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linbo<,3>晶体中电光和电光-倍频联合效应的应用研究

上传者:非学无以广才 |  格式:pdf  |  页数:58 |  大小:3368KB

文档介绍
或产生较大误差;特别是对双轴晶体,所给出的折射率变化表达式很难化简。因而,此“普遍解理论"也并非是普遍的。1.2.5代数解理论Gull【Iling等㈣提出的代数解理论本质同折射率椭球理论,是通过数学的方法,得到了外电场作用下的晶体折射率椭球的主轴和主折射率,从而求得两种偏振模式的折射率改变量。该理论对外加电场方向没有限制,并且对晶体的点群对称也没有要求。但复杂的计算决定了其应用范围的有限性。1.2.6线性电光效应的耦合波理论考虑到上述理论的局限性,She等【l8】提出了全新的线性电光效应耦合波理论:从麦克斯韦方程组出发,将线性电光效应看成微扰,得到了一个全新的描述线性电光效应的耦合波理论方程组。运用该理论,可以方便的分析光在任意方向外电场作用下在晶体中沿任意方向传播时的各种情况【191,对器件进行优化设计‘20,2¨,并可推广到有线性吸收的单轴晶体陋,231、双轴晶体f矧、PPLN晶体犯51、旋光晶体㈨以及磁光晶体【271等。关于电光效应耦合波理论的具体内容,会在下一章作详细的介绍。1.3电光调制器的发展与现状1.3.1电光材料理论上,任何具有电光效应响应、能透过所使用激光波长的材料都能制成电光调制器。然而,在实际运用中,以LiNb03128J等为代表的无机光电材料制作的调制器凭借其光谱工作范围宽、驱动电压低、插入损耗小、消光比高、啁啾可为零或可调、可靠性高和易于大规模生产等优点,成为目前应用于高速长距离光通信中的主流调制器。此外,采用半导体材料Iz9J如GaAs等制作的调制器性能也在不断改善,日趋成熟;虽然有机聚合物【30】电光调制器研究开始于九十年代,起步较晚,但因为其材料的天然优点——可在衬底上层膜,与半导体器件工艺兼容,易于集成;有较低的相对介电常数,能提供高带宽响应等,被科学家们认为是潜力最高的高速光通信调制器,日益成为关注的焦点。1.3.2体结构电光调制器简介4

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