led内量子效率及其de研究

rameters???.????????.494.3.4TheanalysisofDWBdata????????????????.??????..504.4Conclusionofchapter????.??????.????.????????.?????.52Chapter5Summaryandprospect???????.??????????????????54Acknowledgements??????.??.????.?.??????????????.?????57ⅥI第一章绪论第一章绪论1.1引言近年来,以Ⅲ一V族材料为代表的第三代半导体器件成为一个研究热点。GaN基器件作为第三代半导体器件中的核心部分,以其宽的直接带隙、高的电子漂移速度、高的热导性、耐高温、抗腐蚀、抗辐射等突出优点n_3,在高亮度发光二极管(LED)、激光器、探测器等光电子器件,以及抗辐射、高频、高温、高压等的电子器件中有着巨大的应用潜力和广阔的市场前景。Ⅲ一V族发光器件的研究可追溯至!lJl962年,Holonyak.N在Gabs基体上使用磷化物发明了第一个基于pn结的红光LED,波长650nm,在驱动电流为20mA时,输出光通量大约为0.1lm/W口1,他也因此被誉为LED之父。N70年代,引入元素In和N,使LED产生绿光(555nm)、黄光(590nm)以及橙光(610衄);1970年,前苏联的Alferov和美国的Hayashi等人成功地实现了AIGaAs/GaAs双异质结激光器的室温连续激射,达到了实用化程度,并确实推动了光电器件的商业化进程。伴随着新型半导体结构材料研究不断发展、技术的突破,L.Esaki和朱肇祥提出了量子阱和超晶格的概念嘲,在推动LED商业化上迈出巨大一步。图1.1LED发光功率发展趋势‘51LED的发展近年来又有不断的突破,主要体现在流明功率的提高如图1.1所