all效应的影响有很多讨论,结果也不一致,现在仍很有争议【18,27,28】。考虑杂质散射时,顶角修正和自能是必须考虑,最近的文献指出这两个修正分别在弱散射和强散射两个极限下显著,而在适中的散射下,自旋Hall系数仍然较大,甚至接近e/S'r[29]。图(2.1)表明在强散射和弱散射的极限下自旋Hall效应都被杂质散射显著的抑制掉了,但在有限散射条件下自旋Hall效应仍然很可观。考虑参数o=ApFr,当n<10时,杂质散射的影响主要来源于自能;当口>10时,影响主要来源于顶角修正。EG.Mishchenko等人利用Keldysh的非平衡格林函数的技术推出了’般的扩散方程,得出了弱散射极限下,自旋Hall效应被完全一致的结果【27];而K.Nomura等人研究的参数范围则是A即/EF<0.5,EFr<20,在这个区域里自旋Hall效应并没有被完全抑制,所以的出自旋流仍然存在的结论。这些都与图中结果一致。图2自旋Hall系数同散射弛豫时间以及e,ashba耦合强度的依赖关系。同时还应该指出的是,这里讨论的自旋Hall效应与Hirsh所提出的相似的效应是有本质区别的。Hirsh所提出的自旋Hall效应是由自旋相关的杂质散射导致的,显著的受到杂质散射的具体特点的影响[20,21,22],比如强度、对称性等,而这里的自旋Hall效应则是本征的,并不依赖于杂质散射。当然,在讨论中自旋Hall效应的机制时并没有考虑杂质散射,这并不意味着杂质散射不会有什么影响。实际上在真实体系中,在边界上不可避免地会出现自旋的堆积(如果出6第二章两维电子气中的自旋Hall效应现的自旋流是一个输运现象)。自旋的不平衡分布,在考虑到杂质散射的情况下,会出现自旋的扩散从而会很显著的改变(213)式中所给出的自旋流的大小。所以,为了得到真实有边界和杂质体系中的自旋流,我们必须考虑到自旋的堆积以及电子杂质散射。一7
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