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二硼化镁超导体掺杂效应的理论研究

上传者:qnrdwb |  格式:pdf  |  页数:46 |  大小:1303KB

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作用矩阵%j+。=%+%(co)(1.2)其中‰@)是以声子为中介的相互作用,取消了经典BCs理论的截断假设,同时,还考虑了不同频率声子的贡献,结果推出一组十分复杂的方程。后来,w.L.Mcmillan{I入了一些假设,简化了这组方程组,求得在五s1.5范围内的Mcmillan公式“”砭=急卅考筹幻ns,式中@。为德拜温度,∥+为等效的库仑相互作用参数,五=N(e,)(,2)/M◇2)表示电声耦合常数N(EF)表费米面处的态密度,(,2),M和2)分别表示电子一离子相互作用矩阵元、声子频率的方均值,^的数值范围一般在0.卜-I.5之间。利用Mcmillan公式来计算A1,Hg等超导体的临界温度TC,与实验值符合得很好。1.4二硼化镁超导体的基本特征1.4.1二硼化镁的晶体结构图1.1二硼化镁的晶体结构二硼化镁的晶体结构如图1.1所示,B层呈石墨结构,B—B层之间被六角密堆积的Mg层隔开,晶格常数a和c分别约为3.0849埃和3.5187埃,不同的制备过程。1有细微的变化。1.4.2二硼化镁的电子结构薹图1.2二硼化镁超导体LDA能带结构。1图1.3二硼化镁的费米面结构“1理论计算表明”1,Mg基本上完全离子化,Fermi能级处的能带结构主要来自B的贡献,在B平面内共价的B—B键(盯键)以及B平面向外伸展的B—Mg粒子键的共同作用下,MgB:表现出sp型金属的特性,电荷从B平面内的盯带(sp2轨道)向B平面外石带(p:轨道)的转移,并在or带留下空穴载流子,空穴载流子和B平面内的声子(E。簇式)的强耦合导致MgB:具有较高的超导转变温度。进一步的理论计算表明”1tMgBz有两个不同的S波超导能隙,△。(0)=7.2mev,A,(o)=2.3mev,分别对应于Fermi面的两个不相联的分支,Fermi面的形状如图1.3所示。MgB。的这种二带的超导特性已被很多的实验证实“““。

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