时代的到来,单一的cM0s技术己无法满足日益复杂的集成系统多方面的要求,现代微电子系统希望最终实现对信息接收、存储、传输、加工以及执行诸功能的全方位集成。但是,因功耗大和集成度低而在ULSI中缺乏竞争力的双极型技术,在超高速和大电流驱动(如电源管理类芯片的设计)等场合中仍具有不可替代的作用,从而追切要求发展一种能兼容双极型与MOS器件各自特点的工艺技术和新结构器件的设计技术,这就是本章将要叙述的BCD(Bipolar.cMOS。DMOS)工艺技术。本章首先介绍BcD技术的发展由来,接着讨论了BcD工艺的分类以及各自的特点,然后重点介绍在BcD工艺中一些在电源管理IC设计中使用到的特殊器件的结构原理与实现、人们在这些方面的研究和努力,最后简要叙述该工艺的发展趋势。 2.1BCD技术的由来采用独立工艺分别制备性能优良的双极、M0s器件和其它阻容元件,然后再利用互联和封装达到系统集成,是实现兼容技术的有效途径之一。通常,这种混合集成或二次集成能够最大程度地发挥CMOs与双极电路的各自优点,但由于外部互连工艺复杂且能力有限,限制了系统集成水平的提高,而且还降低了系统的工作速度与可靠性。这样,采用cM0s与双极内部集成兼容技术,即BicMOS技术就显得更为重要。实际上,早在1969年,就有人提出了BicM0s的基本设想, 之后的1973年,由RCA公司研制成功了第一个BiCMOS放大器,但直到进入80年代,各类BicMOs电路才获得了广泛的应用,并进一步推动了vLsI集成技术的向前发展吼与CMOS和双极型技术相比,BicM0s工艺较为复杂,设计和制备成本最高, 这些都不利于BicM0s的自身发展,这使BicM0s在发展的初期阶段处于不利的竞争地位。但从发展的眼光看,由于电子系统功能扩展与性能改善的迫切要求, 必然导致cMOS为更先进的BicM0s技术所取代,具有高集成、低功耗、高灵敏
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