PAG- .Р程中酸扩散对光刻的影响,且 PAG 在体系中的分散更加均一,可以有效的提高光刻的分Р辨率[42-45] 等[43,44]近期报道了一种高分子键合光刻胶Р .James W.Thackeray PAG(PBP) ,Р如图所示在 2曝光剂量的照射下分辨率能够达到线边Р 11-PBP . 12mJ/cm EUV , 22nm,Р缘粗糙度也只有4.2nm.Р 图聚合物或小分子键合光刻胶Р 11 ( ) PAGР Polymer(or molecular)bound PAG photoresistsР 受到分子玻璃体系和高分子键合体系在光刻胶中应用的启发Р PAG EUV ,Hender-Р 等[46]设计合成了一种小分子键合光刻胶体系如图所示在Рson PAG , 11-MBP .MBP EBР照射下,分辨率和 LER 值较未键合 PAG 光刻胶相比有显著改善(分辨率为 50nm 时,РLER 值为3.96nm).通过这种设计方式,小分子键合PAG 有可能在 EUV 领域中获得更Р高分辨率的光刻胶.Р 总结Р5 Р 为了满足光刻技术对分辨率新的要求(22nm 节点及以下),EUV 光刻将会成为下一Р代的光刻技术,并与当前广泛使用的193nm 光刻,一同构成先进光刻的体系,作为关键Р材料之一的新型高档光刻胶的研制也就显得格外重要.新型光刻胶的设计需要同时考虑Р改善分辨率、线边缘粗糙度和灵敏度(即 RLS).基于这样的考虑,化学放大、非化学放大、Р分子玻璃和聚合物(或小分子)键合 PAG 光刻胶的各种光刻胶体系的研发已经成为研究Р的热点.其中非化学放大体系解决了在后烘过程中酸扩散对LER 的影响,分子玻璃体系Р由于其分子量小且单分散将有可能获得更高分辨率的光刻胶,键合 PAG 光刻胶可以有Р效的增加灵敏度并提高分辨率.值得一提的是,现在的 EUV 光刻胶体系大多还处于研发
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