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配位聚合物的应用与进展

上传者:读书之乐 |  格式:doc  |  页数:13 |  大小:80KB

文档介绍
大,其电导率越高。国内中科院钱人元和王佛松等在聚吡咯、聚苯胺等导电高分子材料方面也开展了大量工作.具有导电性能的分子金属电荷转移盐可分为三大类:即DA、DX和CA型,其中C为阳离子,X为阴离子,导电主要来源于D和A组分。随着第一个有机金属导体TTF-TCNQ的出现,许多导体、超导材料也相继问世,如电化学结晶合成的DA型导体α-( EDT-TTF) [Ni(dmit)2](TTF) [Ni(dmit)2]2,α和 α′-(TTF) [Pd(dmit)2 ]2等甚至显示超导性质,DX型分子导体k-(ET)2Cu[)2]Br和k-(ET)2Cu [)2] Cl等等。 4.4 配位聚合物在磁性材料中的应用 由于当代高技术发展的需要,铁磁体作为信息记录、存储材料越来越重要, 而金属有机材料质轻、易加工,很多方面迫切需要以有机铁磁材料代替无机铁磁材料。十几年来,科学家们试图设计、合成出稳定性好、磁含量高、铁磁转变温度高和具有较高矫顽力的金属有机铁磁体,取得了一些可喜的成果。20世纪 80年代中期,意大利化学家Gatteschi首先把具有成桥能力的有机自由基NITR(2- R-4,4,5,5-四甲基-3-氧化-咪唑啉-1-氧基自由基,R为脂肪基团或芳香取代基团)作为自旋载体引入分子铁磁体的合成,制备了许多一维链金属-自由基化合物 M(hfac)2-NITR(hfac为六氟乙酰丙酮),极大地丰富了低维磁体系的研究内容。作为合成分子铁磁体的一个重要途径,十多年来氮氧自由基-金属配合物的研究进展非常迅速。已经合成了许多一维链配合物及具有一定 Tc温度的一维链分子铁磁体[17],i(hfac)2  NIT(Me)的Tc为513 K,Mn(hfac)2  NIT(i-Pr) 的Tc为716 K,Mn (hfac)2  NIT(i-Pr)的Tc为816 K。除此之外,还合成了一些二维桥联磁性配合物。

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