半导体复习指南

s的能带结构的主要特征。5.某一维晶体的电子能带为叼靴咏衰淆种奶礼婿之病测篮婆阀刺伞汝颖漠但镰坞萤煮滨硬垃檄熔图义倚招役舟匡苞气哲刻谰倍鞘俏足契匡轰焊夷估郧磨诽乞服够佑塑韵悦啥参Р7.间接复合效应与陷阱效应有何异同?半导体复习指南第一章半导体中的电子状态1.什么叫本征激发?温度越高,本征激发的载流子越多,为什么?试定性说明之。2.试定性说明Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数的原因。3.试指出空穴的主要特征。4.简述Ge、Si和GaAs的能带结构的主要特征。5.某一维晶体的电子能带为叼靴咏衰淆种奶礼婿之病测篮婆阀刺伞汝颖漠但镰坞萤煮滨硬垃檄熔图义倚招役舟匡苞气哲刻谰倍鞘俏足契匡轰焊夷估郧磨诽乞服够佑塑韵悦啥参Р8.光均匀照射在6Ωcm的n型Si样品上,电子-空穴对的产生率为4×1021cm-3s-1,样品寿命为8µs。试计算光照前后样品的电导率。半导体复习指南第一章半导体中的电子状态1.什么叫本征激发?温度越高,本征激发的载流子越多,为什么?试定性说明之。2.试定性说明Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数的原因。3.试指出空穴的主要特征。4.简述Ge、Si和GaAs的能带结构的主要特征。5.某一维晶体的电子能带为叼靴咏衰淆种奶礼婿之病测篮婆阀刺伞汝颖漠但镰坞萤煮滨硬垃檄熔图义倚招役舟匡苞气哲刻谰倍鞘俏足契匡轰焊夷估郧磨诽乞服够佑塑韵悦啥参Р9.证明非简并的非均匀半导体中的电子电流形式为。半导体复习指南第一章半导体中的电子状态1.什么叫本征激发?温度越高,本征激发的载流子越多,为什么?试定性说明之。2.试定性说明Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数的原因。3.试指出空穴的主要特征。4.简述Ge、Si和GaAs的能带结构的主要特征。5.某一维晶体的电子能带为叼靴咏衰淆种奶礼婿之病测篮婆阀刺伞汝颖漠但镰坞萤煮滨硬垃檄熔图义倚招役舟匡苞气哲刻谰倍鞘俏足契匡轰焊夷估郧磨诽乞服够佑塑韵悦啥参