rrace上而[5,35]{110}面的生长动力学的影响,由于杂质的存在{110}()不是优先吸附在特殊位点,如台阶step边缘上。杂质颗粒密度随二聚体的浓度增加而非线性增加,这表明二聚体杂质并不仅仅以自身吸附上去,而是伴随[35]面沿<001>和<001>方向台阶前进的速度显著降低着一些反应的吸附,比如聚集。()<50%,垂直于c轴方向的速度也有相同程度的降[36]2.1.2HEWL正交晶体Matsuzuki等研究了商品低。原因为HEWL二聚体对台阶的约束效应。另外其(化HEWL中杂质主要是18kDa多肽链和HEWL二聚他种类的杂质吸附到扭折位点达到一定时间后也会降)体对正交晶型HEWL晶体表面形貌的影响。纯化过的溶液中正交晶的{110}面含有线状的台阶,未纯化低扭折形成速度从而降低台阶速度。沿<110>和<110>方向运动的台阶的不同响应可能是由于一些杂质立体阻碍效应的不同。<110>方向台阶的速度没[36]有随着过饱和度的增加而增加。在四方HEWL晶体[21]{101}面也出现过类似的台阶速度非单调性质。2.3缺陷通过由杂质产生的晶体缺陷来研究晶体质量受到的影响逐渐成为此类研究的新兴的研究方向。在无机AFM观测过程中对样品的干扰,也避免了荧光显微了()材料研究中常采用的蚀刻图像法,可以很容易基于蚀镜对观测样品的苛刻要求详见后文。采用此方法的刻坑的形状和密度确定无机晶体中缺陷的类型。此法研究工作目前仍在进行中。直到1993年才初步得以在蛋白质晶体的研究采用。Monaco等采用光学显微镜研究了四方HEWL晶体的[29]形貌和溶解动力学,并且在{110}面第一次观察到沿[2110]方向延长的蚀刻坑,但由于分辨率的限制无[41,42]法确定蚀刻坑的形状和密度。最近,Hondoh等采用一种新的固定技术———聚氨基甲酸酯覆盖的玻片来防止蚀刻过程中晶体的脱落,使得AFM得以在此类研
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