能平的面去切割硅片。Р有不同的测量方法来测试硅片的平整度。一些测量方法给出了圆形的或者说是整个硅片的平整度而另一些方法只显示出局部的硅片平整度。整个的平整度对于设计样品时是很重要的,?从另一方面说,局部的平整度对于?设计是很重要的,?一些整体平整度测试的术语是弯曲度(bow)、翘曲度(warp)、总厚度超差(TTV)、总指示读数(TIR)和焦平面背离(FPD)。局部平整度测试的术语也与其一致。РBowР硅片弯曲度是测量硅片弯曲程度,它是与硅片中心从一通过靠近硅片边缘的三个基点建立的平面的背离程度。弯曲度测试是一种较老的测试手段,不经常使用。因为弯曲度测试只能测试与中心的背离,其他方法也就相应产生了。实际上,硅片的背离会发生在硅片的任一位置,而且能产生很多问题。在最近的时间里,S型弯曲或翘曲的测试被真正采用。这种变形有比弯曲更复杂的形状。РWarpР硅片形状变形的另一测试方法是翘曲度的测试。翘曲度是测量硅片确定的几个参考面的中心线位置的最高点与最低点之最大差值。硅片的翘曲度起决于使用的一对无接触扫描探针。硅片被放置在三个形成参考平面的支点上,这对探针中一支可以在硅片一侧的任意位置,而另一支则在另一侧的相应位置。探针按设定的程序,沿硅片表面移动,测量到硅片表面指定点的距离。一旦所有的距离都已测得,翘曲的程度也就知道了。测定翘曲度,第一步就是找到顶部探针与顶部硅片表面的距离(a)和相应底部探针与底部硅片表面的距离(b)。换句话说,就得到了b-a的所有测量点。有了这些数据,将b-a的最大值减去b-a的最小值,再除以2就是Warp值(如图1.6所示)。Р图1.6 翘曲度(Warp)和总厚度偏差(TTV)测量示意图Р硅片的翘曲度与半导体制造有关,因为一片翘曲的硅片在光刻过程中可能会引起麻烦;还可能在一些加工过程中粘片时也有问题。小量的翘曲在一些加工过程中可以通过真空吸盘或夹具得到补偿。
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