从借鉴、消化、引进国外先进技术和设备到自主创新。目前已经形成了一定范围的系列化产品,并开拓了较为广阔的市场。国内IGBT感应加热电源的水平是1000KW/50KHz,MOSFET感应加热电源的水平是400KW/400KHz。总的来说,国内高频感应加热电源与发达国外有相当大的差距,现在正朝着MOSFET 和IGBT高频感应加热电源取代电子管高频电源的方向发展[6]。Р1.2.4 感应加热电源发展趋势Р1. 大容量化Р根据加热物质对象及吨位不同,电源的功率容量可以从数百伏安到几十兆安不等。扩展感应加热电源容量是感应加热技术及应用前景的关键,提高加热的功率容量的途径可分为三类:一类是提高单体半导体功率器件的容量,另一类是器件的串并联,还有一类是多台感应加热电源并联扩容。在器件的串、并联方式中,必须认真处理串联器件的均压问题和并联器件的均流问题,由于器件制造工艺和参数的离散性,限制了器件的串、并联数目,且串、并联数越多,装置的可靠性越差。多台电源的串、并联技术是在器件串、并联技术基础上进一步大容量化的有效手段,借助于可靠的电源串、并联技术,在单机容量适当的情况下,可简单地通过串、并联运行方式得到大容量装置,每台单机只是装置的一个单元或一个模块[7-8]。Р2. 高频化Р随着感应加热电源的应用不断扩展到各个领域,对频率要求越来越高。加热频率越高,功率密度越集中,表面加热深度越浅。频率的提高主要有以下途径:Р(1)选用工作频率高的电力半导体器件。目前感应加热单元工作频率高于100KHz可应用的电力半导体器件组要有MOSFET、IGBT、SIT,其中MOSFET频率高,但是电压和电流容量较低。Р(2)采用软开关技术提高工作频率。感应加热电源高频化受开关器件损耗的制约,开关频率越高,损耗越大,不仅降低电源效率,而且温度升高,需要庞大的散热系统。软开关技术使器件在零电流或零电压状态下开关,即
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