,基极电流通过Rs流入UDD中,Tr1导通,其集电机电流通过P阱内部Rw进入Uss,Rw上产生压降,当Tr2管的UBE达到正向导通电压时,Tr2导通,Tr2的集电极电流流向Tr1基极时期电位降低,Tr1进一步导通结果Udd与Uss之间形成低阻电流通路,这就发生了闩锁。Р 温度升高,晶体管eb结正向导通电压下降,电流增益和寄生电阻岁温度升高而增大,导致维持电流Ih岁温度升高而下降,另外PN结反向漏电随温度上升而增大,而P阱衬底结的反向漏电正是寄生SCR结构的触发电流,所以高温下闩锁更易发生。Р Рp-subРn-wellРVss (gnd)РVddРVoutРVinРLT2РLT1РVT1РVT2РRwРRsubР50. 何谓ESD 损伤机理与部位,防护措施?Р当wafer与静电携带体相接触,所带静电经过器件引线放电到地,使器件受到损伤或失效,这就叫静电释放损伤。MOS device is sensitive to ESD. The character of ESD is high voltage and small Q.РThe damage :1 PN junction short.它是放电电流流经PN juction 产生的焦耳热使局部金属—silicon熔融生成合金钉穿透PN结造成的。Р 2 Damage on interconnect metal and POLY 互连线与多晶硅电阻,健合引线扩散区等之间因隔离介质(一般是SiOР2层)击穿放电而造成短路。Р 3Gate Oxide rate 若静电使氧化层中的场强超过其临界击穿场强,将使氧化层产生穿通,这在氧化层中有针孔等缺陷是更易发生。Р防护措施РMOS电路最易引起ESD的是输入端,一般输入端都接有电阻—钳位器件保护网络。限流电阻多位扩散电阻或多晶硅电阻,钳位管可为一般二极管,栅控二极管,MOS管等Р几种常用结构
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