热退火对氧化镓薄膜性质的影响.pdf

线取向的多晶薄膜。Р第期王新,等:热退火对氧化镓薄膜性质的影响Р ,, ,.Р .,,:Р .Р ,.Р ,,:—.Р ,,.Р · .,,:Р .Р 图未退火薄膜样品的吸收光谱、.·Р 分别在、、℃、:【.Р 和下、氧气中退火后的吸收光谱。,:.Р . ,.Р .Р ℃, ℃,Р .:,,:Р 。℃, 。Р .Р 由于,薄膜是一种直接带隙的材料,其光,—Р 学带隙可以从的关系得到。是入射光子:.Р ,,:—.Р 能量为厅时的吸收系数。图给出了薄膜的光学带Р , ,.Р 隙随退火温度的变化关系。可以看出,随着退火温:,.Р 度的升高,光学带隙变大。℃退火后得到样品,,:.Р 的光学带隙为.。退火后得到最大的光, ,.Р .Р 学带隙为.。文献报道,薄膜的光学带隙Р ,, :.Р 位于.~. ·· 。我们得到的,的,,,.—Р 光学带隙.~.正好位于该范围,与文献.:Р 符合较好。,,:—.Р , ,,.Р .,,:Р .Р ,,,.Р .,Р . :.Р ,,..Р ..Р Р . 阳,.:—.Р 图。薄膜的光学带隙和退火温度的关系,.Р . —Р .,,:.Р ,,,.Р 结论Р .,,:一.Р 研究了热退火对真空蒸发制备的,薄膜的【,, ,.——Р 结构、光学和电学等的影响。随着退火温度的升一.Р ,,:.Р 高,薄膜由无定型结构逐渐转变成具有Р 【】,,,.—Р 择优取向的多晶薄膜,薄膜的光学特性逐渐变好, , —Р 光学带隙随退火温度的升高而增加,在退火..Р 时,得到的最大光学带隙为.;薄膜的电学特,.:—.Р 王震,黄蕙芬,张浩康.电阻蒸发薄膜成分和结构Р 性随退火温度变化较小。Р 的研究.电子器件,,:—.Р 参考文献宋歌.磁控溅射法制备氧化镓薄膜.宿州教育学院学Р 报,,:.Р .,,: 戴江南,王立,方文卿.常压生长薄膜及Р —. 其分析发光学报,,:—.