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基于单片机的智能IC卡读写器设计毕业设计(论文)

上传者:塑料瓶子 |  格式:doc  |  页数:32 |  大小:0KB

文档介绍
2 线连接协议串行接口满足 ISO7816 同步传送协议 NMOS 工艺技术每字节的擦除/写入编程时间为2.5ms 存储器具有至少10000 次的擦写周期数据保持时间至少 10年。 SLE4442 的触点安排: 操作电压地复位未用时钟双向数据线未用未用芯片功能芯片功能: SLE4442 IC卡主要包括三个存储器: 1.256x8 位EEPROM 型主存储器。地址 0~31 为保护数据区。该区数据读出不受限制,写入受保护存储内部数据状态的限制。当保护存储器中第 N位N=0~31 为1时,对应主存储器中第 N个字节允许进行擦除和写入操作。地址 32~255 后244 字节为应用数据区,数据读出不受限制,擦除和写入受加密存储器数据校验结果的影响。这种加密校验的控制是对整个主存储器实施的(即包括保护数据区和应用数据区)。 2.32x1位PROM 型保护存储器.一次性编程以保护主存储器保护数据区,防止一些固定的标识参数被改动.保护存储器同样受加密存储器数据校验结果的影响。 3.4x8 位EEPROM 型加密存储器.第0字节为密码输入错误计数器(EC).EC 的有效位是低三位,芯片初始化时设置成”111 ”这一字节是可读的(EC). 的1,2,3 字节为参照字存储区.这 3个字节的内容作为一个整体被称为可编程加密代码(PSC). 其读出写入和擦除均受自身比较操作结果的控制。芯片内部逻辑结构如下: ?传送协议: 1.复位和复位响应:复位和复位响应是根据 ISO7816-3 标准来进行的。在操作期间的任意时候都可以复位。开始,地址计数器随一个时钟脉冲而被设置为零。当RST 线从高状态 H置到低状态 L 时,第一个数据位(LSB) 的内容被送到 I/O 上。若连续输入 32个时钟脉冲,主存储器中的前四个字节地质单元中的内容被读出。在第 33个始终脉冲的下降沿, I/O 线被置成高状态而关闭.

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