铝; 2 )光刻铝; 3 )去胶; 7. 刻钝化铝。六、总结本次桶形移位器的课设, 采用了 16个 NMOS 管, 不仅可以寄存数据, 还具有移位的功能, 即移位寄存器里存储的数据, 可以在时钟脉冲的作用下逐渐右移。本次设计桶形移位器的设计流程及每步骤所注意的地方如下: 1. 理解移位器原理; 2.在 S-edit 中绘制原理图:更改每个 MOS 管的属性为 NENH 或 PENH ,以及管子的尺寸; 3. 生成原理图网表; 4.在 T-Spice 中进行原理图的仿真:在提取库文件时确保是正确的路径,并添加“ tt”,仿真前输入正确的命令语句; 5.在 L-Edit 中绘制版图:选择正确的模板下绘制版图,每画完一步后都进行 DRC ,注意各种规则,确保正确的绘制版图; 6. 生成版图网表; 7.在 LVS 中进行网表的对比; 8.在 T-Spice 中进行版图的仿真; 9. 给出电路图制造的工艺流程图。个人心得:本次课设在运用 Tanner 软件的基础上,进行移位器原理图、版图的绘制与后仿真,并确定相应的制造工艺流程,很好的增强了自己的动手能力,加深了对《半导体集成电路》、《集成电路工艺原理》与《集成电路设计技术》等课程有关 MOS 集成电路的设计制造工艺内容的理解和应用,有目的性的学会利用专业理论知识,初步实现半定制集成电路设计。最后,衷心感谢本次课设过程中乔老师、杨老师等老师的悉心指导和同学们的帮助! 七、设计成果汇总 1. 桶形移位器原理图(见图 2) 2. 对数移位器原理图(见图 3) 3. 桶形移位器仿真波形图(见图 4) 4. 桶形移位器版图(见图 5) 5.LVS 分析结果(见图 6) 6. 版图信息电路单元类型晶体管数目版图尺寸( 不含 PAD) 版图尺寸(含 PAD) 设计结构备注内容 NMOS 管 16 个 19um *18um 21um *20um 无
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