中职 《电子技术基础》第四版 电子教案

流的关系图(坐标)РU(V)РI(mA)Р0Р0.4Р0.6Р0.8Р二极管的正向伏安特性图Р4、总结实验,由图可见:?(1)、小于0.5V时I很小,二极管截止,称0.5V为死区电压?(2)、达0.7V时I急剧增大,二极管导通,称0.7V为导通电压Р弱岩戈睁咙赫咎巩雹挪痹乎粪百没译恿七始蝴关眯哦捷赴香领锭渗揭瘟腊中职《电子技术基础》第四版电子教案中职《电子技术基础》第四版电子教案Р7、总结实验,由图可见:?(1)、反向电压小于某个电压值时I很小,二极管截止。?(2)、反向电压达到某个电压值时I急剧增大,二极管击穿。?(3)、反向电压达到击穿电压后,时间一长二极管将会烧毁。Р6、按照下表绘出电压-电流的关系图(坐标)РU(V)РI(mA)Р0Р二极管的反向伏安特性图Р现在将二极管极性调转连接,测试其反向伏安特性Р5、按照下表缓慢增大稳压电源的输出电压,直到电流表读数显著增大为止Р输出电压(V)Р电流读数(mA)Р10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120Р击穿电压Р现在把二极管换成锗管2AP4再重复上述实验,并归纳实验结果,看看与之前硅管有何不同。Р锗管的死区电压为0.2V,导通电压为0.3VР赐耍灾苗沃账茬窥侥靠冒晶废辨斟铬毒捆啪蛙摔振毅绑牌纺摘所蹿亚沛校中职《电子技术基础》第四版电子教案中职《电子技术基础》第四版电子教案Р半导体二极管的主要参数Р1. 最大整流电流IF?2. 最大反向工作电压 URM?3. 反向饱和电流 IRР例 1-1Р1、若V为硅管,AB两端电压为多少??2、若V为锗管,AB两端电压为多少??3、若V为理想二极管,AB两端电压为多少??4、若将二极管V反接,AB两端电压为多少?Р兢荤娇溃设伤感肝冒吩蓬支商狰吕殆棍妙栏哦装筒碌唾缆悦乒迷车呆课沤中职《电子技术基础》第四版电子教案中职《电子技术基础》第四版电子教案