-1所示。Tour等则使用高锰酸钾和硫酸的混合物,沿着一个轴心打开碳纳米管,他们得到的纳米带宽度较大,大约为100~500nm。这些纳米带虽不是半导体,但更容易大规模制造。Р(上)采用混合物沿轴心打开碳纳米管;? (下)采用氩气打开聚合物薄膜上的碳纳米管图3-1 石墨烯纳米带的制备示意图РDai等使用从半导体工业借鉴过来的蚀刻技术切开纳米管,将碳纳米管黏附到一个聚合物薄膜上,再使用经过电离的氩气来蚀刻纳米管的一个条带,得到的石墨烯带的宽度仅为10~20nm,具有半导体特性,在电子工业将具有广泛用途。Р半导体工业和光学技术等领域常常用到单晶材料,这些单晶材料原则上可以由固态、液态(熔体或溶液)或气态生长得到。? 液态法是最常用的方法,可分为熔体生长或溶液生长两大类,前者是通过熔体达到一定的过冷而形成晶体,后者则是让溶液达到一定的过饱和而析出晶体。Р§3.1 晶体生长技术Р3.1.1 耐氧化性熔体生长法Р熔体生长法主要有提拉法、坩埚下降法、区熔法、焰熔法等。А1.提拉法? 提拉法又称丘克拉斯基法或CZ法,至今已有近百年历史。此法是由熔体生长单晶的最主要方法,适合大尺寸完美晶体的批量生产。半导体锗、硅、砷化嫁、氧化物单晶如钇铝石榴石、铌酸锂等均用此方法生长而得。图3-2为提拉法的装置示意图。Р与待生长晶体相同成分的原料熔体盛放在坩埚中,籽晶杆带着籽晶(seed crystal)由上而下插入熔体,由于固液界面附近的熔体具有一定的过冷度、熔体沿籽晶结晶。以一定速度提拉并且逆时针旋转籽晶杆,随着籽晶的逐渐上升,生长成棒状单晶。Р坩埚可以由射频感应或电阻加热。固液界面的温度梯度、生长速率、晶转速率以及熔体的流体效应等是控制晶体品质的主要因素。Р图3-2为提拉法的装置示意图Р2.坩埚下降法Р坩埚下降法是通过将坩埚从炉内的高温区域下移到较低温度区域,从而使熔体过冷结晶的方法。如图3-3所示。
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