深紫外LED芯片

合物半导体外延设备、工艺、器件制备工艺以及应用市场,?有较好的科研管理经历,作为项目技术负责人,完成了国内首台立式多片HVPE自动化设备的设计和安装调试,改进外延工艺大幅提高LED发光效率并用于企业生产。Р技术负责人,负责设备、工艺和生产Р副总经理?段瑞飞Р我们的团队Р副总经理?王军喜Р中科院半导体所研究员,博导?主要研究方向为半导体照明氮化镓外延芯片材料生长研究及新型LED器件应用研究。?带领研究团队通过自主制备的深紫外专用设备,获得了国际晶体质量最好的AlN 材料,并在国内首次制备成功了发光波长300 nm以下的毫瓦级深紫外LED 器件,填补了国内在该领域的空白,目前深紫外LED器件仍一直保持着国内最好水平。Р行政总负责,政府、企业关系以及基础条件保障Р我们的团队Р闫建昌?技术总监Р工学博士,中国科学院半导体研究所副研究员。?本科毕业于清华大学电子工程系,于中国科学院半导体研究所获工学博士学位。?法国巴黎第十一大学访问学者。?在氮化物紫外LED领域已有10年的研究积累,具有丰富的AlGaN材料MOCVD外延和深紫外LED器件研制经验。?近五年来曾作为负责人主持承担、并圆满完成了国家“863”课题、国家自然科学基金项目。Р负责工艺研发Р我们的团队Р北京大学光华管理学院工商管理硕士(MBA),?多年从事企业管理、资产重组、收购兼并、SPAC、IPO、投融资及咨询服务等工作,?担任过多家企业的财务顾问,为这些企业融资重组及上市提供服务。?融资金额约8亿元人民币,实现3家企业的海内外上市。?同时负责组建、运营了两家大型高科技企业,企业成功生产运作。Р财务顾问宛强Р我们做什么?Р以氮化物深紫外LED为主要目标产品,Р开展从高温【MOCVD设备制造】【深紫外外延材料】以及【紫外LED芯片】?的研发和生产Р致力于成为国内最具技术实力的?规模化、低成本?深紫外LED外延、芯片产品提供商