蓝、绿光 LED 的市场;日本 Toyoda Gosei 的蓝绿光 LED 产量最大;美国 Cree 的SiC 衬底生长的 GaN 外延片和芯片产量最大,而且在紫光外延片和芯片生产技术方面处于国际领先地位;美国 Gelcore 重点发展白光 LED ,在 LED 灯具设计方面处于国际领先地位;美国 Lumileds 重点发展大功率白光 LED 。晶宇华光济南三安厦门路美大连晶能华夏集成扬州联创光电南昌立德石家庄普光广州清芯廊坊方大士兰明芯杭州世纪晶源深圳迪源大晨元茂蓝光科技华灿武汉蓝宝上海公司名称所在城市公司名称所在城市国内(部分)LED pany 半导体技术与工艺链衬底片制备单晶生长、磨片、抛光外延生长 MBE MOCVD 芯片制作光刻、刻蚀、蒸发、划片器件封装贴片、键合、封包 1、半导体单晶生长及衬底片加工通过对高纯原料熔融、化合物单晶生长、切割、磨片、抛光、真空包装等工艺,制成外延生长用衬底片。包括单晶生长炉、抛光机、变频行星式球磨机、晶体切割机等高纯原料化合物单晶外延用衬底片?元素半导体的代表为硅( Si)和锗( Ge) ;也称为第一代半导体; ?化合物半导体被称为第二、三代半导体材料,代表材料:砷化镓( GaAs )、磷化铟(InP )、氮化镓( GaN )等。?所谓“外延生长”就是在高真空条件下,采用分子束外延( MBE )、液相外延( LPE )、金属有机化学气相沉积( MOCVD) 等方法,在晶体衬底上,按照某一特定晶面生长的单晶薄膜的制备过程。?半导体外延生长主要采用 MBE 和MOCVD 工艺。蓝宝石衬底 n-GaN/u-GaN LM-InGaN p-Al 0.25 Ga 0.75N MQW u-In 0.04 Ga 0.96N p-GaN 衬底片外延片 2、外延生长 RIBER R6000 型MBE 系统 RIBER R49NT 型MBE 系统
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