体P型、N型半导体? PN结半导体二极管Р半导体二极管(一个PN结)Р二极管的外特性、主要电参数Р二极管电路组成及电路分析Р第一章半导体二极管及电路分析Р结构,导电机理Р外特性,主要电参数Р放大电路、开关电路组成及其电路分析Р晶体三极管(二个PN结)РCCCSР场效应管(电场控制器件)РVCCSР结构,导电机理Р外特性,主要电参数Р放大电路、开关电路组成及其电路分析Р1.1.1 半导体二极管的结构、特性与参数Р一、二极管的结构与类型Р二极管由一个PN结,加相应的电极引线和管壳封装而成。Р电路符号Р(P)Р(N)Р空心三角形箭头表示实际电流方向: 电流从P流向N。Р本征半导体的电特性Р硅单晶体的原子结构排列的非常整齐;Р每个原子外层的四个电子与相邻四周的原子外层电子形成稳定的共价键结构;Р绝对零度时,价电子无法争脱本身原子核束缚,此时本征半导体呈现绝缘体特性;Р在室温下,本征半导体非常容易受热激发产生电子—空穴对;这时的载流子浓度称本征浓度,Р本征浓度随温度的上升而增大,所以本征载流子浓度是温度的函数。Р二极管Р杂质半导体РN型半导体(主要载流子为电子,电子半导体)?P型半导体(主要载流子为空穴,空穴半导体)Р扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽,空间电荷区越宽。Р漂移运动РP型半导体Р-Р-Р-Р-Р-Р-Р-Р-Р-Р-Р-Р-Р-Р-Р-Р-Р-Р-Р-Р-Р-Р-Р-Р-РN型半导体Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р+Р扩散运动Р内电场EРPN结处载流子的运动Р内电场越强,就使漂移运动越强,而漂移使空间电荷区变薄。Р伏安特性РUРIР导通压降: 硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。Р反向击穿电压U(BR)Р死区电压硅管0.5V,锗管0.2V。РUРIРEР+Р-Р反向漏电流?(很小,A级)
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