*N-EMOS的输出特性曲线Р* N-EMOS的转移特性曲线Р式中,IDO是UGS=2UT时所对应的iD值。Р* N-DMOS的输出特性曲线Р注意:uGS可正、可零、可负。转移特性曲线上iD=0处的值是夹断电压UP,此曲线表示式与结型场效应管一致。Р三. 场效应管的主要参数Р1.漏极饱和电流IDSSР2.夹断电压UpР3.开启电压UTР4.直流输入电阻RGSР5.低频跨导gm (表明场效应管是电压控制器件)Р四. 场效应管的小信号等效模型РE-MOS 的跨导gm --- Р五. 共源极基本放大电路Р1.自偏压式偏置放大电路Р* 静态分析Р动态分析Р 若带有Cs,则Р Р2.分压式偏置放大电路Р* 静态分析Р* 动态分析Р 若源极带有Cs,则Р Р六.共漏极基本放大电路Р* 静态分析Р或,Р* 动态分析Р,Р Р第三章多级放大电路Р第四章集成运算放大电路Р一. 级间耦合方式Р1. 阻容耦合----各级静态工作点彼此独立;能有效地传输交流信号;体积小,成本低。但不便于集成,低频特性差。Р2. 变压器耦合---各级静态工作点彼此独立,可以实现阻抗变换。体积大,成本高,无法采用集成工艺;不利于传输低频和高频信号。Р3. 直接耦合----低频特性好,便于集成。各级静态工作点不独立,互相有影响。存在“零点漂移”现象。Р *零点漂移----当温度变化或电源电压改变时,静态工作点也随之变化,致使uo偏离初始值“零点”而作随机变动。Р二. 长尾差放电路的原理与特点Р1. 抑制零点漂移的过程----Р 当T↑→ iC1、iC2↑→ iE1、iE2 ↑→ uE↑→ uBE1、uBE2↓→ iB1、iB2↓→ iC1、iC2↓。Р Re对温度漂移及各种共模信号有强烈的抑制作用,被称为“共模反馈电阻”。Р2静态分析Р1) 计算差放电路ICР设UB≈0,则UE=-0.7V,得Р2) 计算差放电路UCE
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