共源共栅放大器

=Vb-VGS2≥Vov1=Vin-Vt1?Vb≥Vin+VGS2-Vt1?M2工作在饱和区:?Vout≥Vb-Vt2≥Vin+VGS2-Vt1-Vt2=Vov1+Vov2?为了使M4工作在饱和区,Vout<VDD-|VGS4-VTH4|?摆幅,Von1+Von2<Vout<VDD-|VGS4-VTH4|Р共源共栅级——小信号特性Р增益?两个晶体管工作在饱和区;假设λ= 0,由于输入管产生的漏电流必定流过整个共源共栅级电路,所以?AV=Vout/Vin=-gm1V1RD/Vin? 而V1= Vin ,所以AV=-gm1RDР当忽略沟道长度调制效应时,共源共栅级放大器的电压增益与共源级放大器的电压增益相同。Р输出阻抗Р电路可看成带有负反馈电阻ro1的共源级Р上式表明串接了M2使M1的输出阻抗为原来(gm2+ gmb2) ro2倍,即输出阻抗大大增大,这是共源共栅放大器的一个最大特点,对提高放大器小信号增益、提高电路源的恒流特性十分有利Р电流源负载的共源共栅级Р比电流源负载的共源级的增益增大了倍。?所以经常用共源共栅结构来提高增益Р增加L与采用共源共栅结构来提高增益的比较Р提高增益的两种方法:1、采用共源共栅增大增益?2、在给定的偏置电流情况下通过增大输入晶体管的长度来增大增益Р假设共源级的输入管的长度变为原来的四倍而宽度保持不变Р过驱动电压增大为原来两倍,晶体管消耗的电压余度与共源共栅级相同РL增大四倍的结果只是使gmro的值增大两倍?而共源共栅结构却使得输出阻抗大约增大gmro倍Р过驱动电压增大为原来两倍,晶体管消耗的电压余度与共源共栅级相同РL增大四倍的结果只是使gmro的值增大两倍?而共源共栅结构却使得输出阻抗大约增大gmro倍Р过驱动电压增大为原来两倍,晶体管消耗的电压余度与共源共栅级相同Р共源共栅级的屏蔽特性РVout端有△Vout的电压跳变时,表现在X点的电压跳变