到的结果,清晰地显示出利用不同的方法所获Р得的结果有着相同的性质,在不考虑数值大小的情况下,所有材料的变化曲线有Р着相同的趋势。与此同时,在归纳、分析计算结果的基础上,我们得到以下结论:Р (1)纤锌矿结构的半导体材料在静水压力的作用下,会有结构相变发生——Р从稳定态的纤锌矿结构转变为亚稳定相的类石墨结构(或者称作 h-MgO 结构),Р即由每个阳离子(阴离子)和 4 个阴离子(阳离子)连接的结构变为每个阳离子Р(阴离子)和 5 个阴离子(阳离子)相连接,这与纤锌矿结构的半导体在大的单Р轴压缩应力或大的双轴拉伸应力下的变化结果相类似;Р (2)纤锌矿结构的半导体在相变过程中会发生带隙结构的改变,在直接带Р隙与间接带隙之间变化,例如氧化锌(ZnO)在相变发生前是直接带隙,导带最Р小值(CBM)和价带最大值(VBM)都在点,当压力值增大到相变临界值 P =Р58GPa 后,H 点在价带的能量值突然增大,与点的能量值几乎相同,带隙由直Р接带隙逐渐转变为间接带隙;Р (3)随着静水压力的增大,计算结果显示出半导体的带隙值是持续增加的,Р这与单轴应力和双轴应力下的能带值变化完全不同——在单、双轴应力下,能带Р值是减小的,甚至在大的双轴压缩应力下,氮化镓(GaN)的带隙值减小为 0,Р成为半金属的存在,导电性更强;Р (4)超晶格结构材料的出现,使得光电应用领域在材料的选择上范围更加Р广泛,我们通过计算 1×1×2 型氮化铝镓的性质,发现其结果与纤锌矿型半导体结Р果类似,同时,能带值也满足计算公式 Eg(x) = 6.2x + 3.4(1-x) - x(1-x),当 x 值取Р0.5 时,得到 Eg 值为 4.55eV,我们的理论结果 3.90eV 与之很接近。Р 该论文有图 17 幅,表 2 个,参考文献 47 篇。Р关键词:杂化密度泛函;静水压力;相变;纤锌矿结构;半导体Р I
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