向导电性。在图 7-2 中,将 PN 结的 P区接外加电源的正极, N区接外加电源的负极,称正偏,此时 PN 结处于导电状态;将 PN 结的 P区接外加电源的负极, N区接外加电源的正极, 称反偏,此时 PN 结处于截止状态; 内电场外电场 N区区 P IR U 内电场外电场 N区区 P I≈0R U (a) PN 结加正向电压(b) PN 结加反向电压图 7-2 PN 结的单向导电性 7.1.2 二极管的结构、分类、特性和参数 1.半导体二极管的结构将一个 PN 结封装在密封的管壳之中并引出两个电极,就构成了晶体二极管。其中与 P区相连的引线为正极,与 N区相连的引线为负极。如图 7-3 所示。图7-3 2.半导体二极管的分类、型号和命名二极管按材料分有硅二极管、锗二极管和砷化镓二极管等;按结构不同分为点接触型和面接触型二极管,按工作原理分有隧道、雪崩、变容二极管等;按用途分有检波、整流、开关、稳压、发光二极管等。图 7-4 为点接触型二极管和面接触型二极管的结构示意图。二极管的型号和命名见附录 A 。点接触型正极引线触丝 N 型锗片外壳负极引线负极引线面接触型 N 型锗结正极引线铝合金小球底座金锑合金 N 型锗 N 型锗 N 型硅 PN 图7-4 3.半导体二极管的特性二极管两端电压和流过电流的关系称为伏安特性。图 7-5 所示为伏安特性曲线,由曲线可知,当二极管两端加正向电压正偏时,二极管导通,管内有正向电流流过。二极管正向导通时, 管子两端的正向压降称为正向压降,锗管为 0.1 ~0.3V ,硅管为 0.6 ~0.8V ; u Diu i D正向电压反向电压反向击穿 0 当二极管两端加反向电压反偏时,二极管截止,管内几乎没有电流流过;当加在二极管两端的反向电压增加到某一数值(反向击穿电压)时,管内就会有急剧增大的反向电流,此时现象称为反向击穿。图 7-5
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