光模块(重点)?FEC(10G EPON中FEC为必选项)Р6РIEEE最终选择RS(255,223)。?RS(255,223)能带来6.4dB的FEC光增益,而且在其它标准中也引用过,比较成熟且简单。Р关键技术1-功率预算Р7Р波长分配:?1G:下行1490nm,上行1310nm?10G:下行1577nm,上行1270nmР1G和10G下行采用不同的波长?1G和10G上行波长冲突,采用TDMA方式共享同一波道?OLT需支持双速率突发接收Р关键技术2-波长规划Р8РODNРTIAРLAР连续模式接收РLaserРB-LDDР突发模式发射РMAC?(ONU)РB-LAР突发模式接收РLaserРLDDР连续模式发射РMAC?(OLT)РBCDRРPDРPDРB-TIAРOLT 光模块РONU 光模块РCDRР成熟器件,当前已可得?1577nm LD,厂家少,短期内价格会比较高?对称10G Burst 光PYH,技术还未不成熟;但对于非对称1.25G上行,可借用EPON相关模块。Р对称模式10G光模块难度大的原因:?10G突发发送:激光器驱动器不成熟?10G突发接收:光模块、时钟数据恢复等技术不成熟?10G EPON考虑到共存的原因,需做到双波长发送和双速率突发模式接受Р关键技术3-双速率突发模式接收Р9Р关键技术4-芯片Р目前10G EPON系统的OLT和ONU均采用FPGA芯片,还处于功能研发阶段;?目前参与10G EPON研发的芯片厂家主要有teknovus, Cortina, PMC和海思;?ASIC芯片具有Sample(样品)、 Engine(工程)、Commercial(可商用)三个阶段,从研制出ASIC样片到提供可商用的性能稳定的芯片一般需要6~8个月时间Р测试结果Р芯片РQoS、VLAN、组播等典型功能支持,但不是稳定可靠的版本,在商用前还需大量调试和修改Р10
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