2013年中科院 804半导体物理 考研真题 考研答案.pdf

课内部辅导班火热报名中Р科大科院考研网全国唯一专注于中科大、中科院考研的教育机构Р 五、(20 分)室温下用恒定光照射一均匀掺杂的 n 型半导体。假定光被该样品均Р 匀地吸收,并产生过剩载流子,产生率为 316 ,空穴寿命为。Р g p 105 /  scm  p 10s Р (1) 写出光照下非平衡载流子浓度所满足的连续性方程; Р (2) 求出光照下非平衡载流子达到稳定状态时的浓度。Р Р 316Р 六、(20 分)设 n 型硅掺杂浓度 N D 10 / cm ,一金属板与 n 型硅相距.40 m ,Р 构成平行板电容器,其间的干燥空气的相对介电常数 ra 1。当金属端加负电压Р 时,半导体处于耗尽状态。Р (1) 求半导体耗尽层内的电势分布 xV )( ,并给出半导体表面势VS 的表达式; Р 求当半导体表面势时,半导体中的耗尽层宽度(单位);Р (2) S .40 VV X d mР 当表面势 VS 为多大时,耗尽层宽度达到最大值 X dm ,并计算给出 X dm(单Р 位m); Р (3) 如忽略金属与半导体的功函数差,求金属板上的电压VG 为多大时,半导Р 体耗尽层宽度刚好达到最大值? Р 19 310Р (电子电量 q .  1061 C ,本征载流子浓度 ni  1051 /. cm ,真空介电常数Р 12 ,玻耳兹曼常数23 ,硅的相对介电常数为。)Р  0 .  10858 / mF k0 .  10381 / KJ 11.9 Р Р 科目名称:半导体物理第 2 页共 2 页Р科大科院考研网提供中科大、中科院考研真题及答案笔记专业课内部辅导班火热报名中Р2013 年中科院考研真题由科大科院考研网(集,均Р为官方原版。登录网站可获得本科目全套的复习资料。Р中科院考研资料:/ Р中科院考研专业课辅导班:ss/