结构,这种结构可以大大缩短导电沟道的长度,可以通过更大的电流。芯片的表面只有栅极和源极引出,漏极由背面引出,源、漏两极分离,芯图垂直双扩散栅电阻的测试研究二、的结构与工作原理.的工作原理片面积利用率高。的制作过程采用“自对准”双扩散工艺的主要目的是为了克服短沟道与穿通电压的矛盾。减小沟道长度是获得大跨导及高频率特性的重要途径,但是在传统峁怪校艄档莱ざ忍。甭┰醇涞缪菇洗笫保诖锏浇岬难┍阑鞔电压之前,漏源极之间已经穿通,为了获得较高的击穿电压就必须加大漏源极问的距离,而这就使器件跨导变小、频率特性降低,采用“自对准”双扩散工艺可以克服这一矛盾。漏区与沟道之间存在着外延层筆结的耗尽区主要向G一侧扩展,在沟道区扩展极少,从而有效地阻止了穿通效应的发生。外延层厚度可做得足够大,以达到击穿电压的要求。对工艺环境和工艺制造技术要求都很高,工艺采用全离子注入技术制作浓硼、淡硼和磷区,采用硅栅自对准技术形成自对准沟道,并采用低压化学气⑶苛优ǹ刂品С偷壤胱涌淌吹认冉造工艺,其主要工艺流程如下嘲:套坠獬牡住狽’外延∏趸÷光刻一注入和推结一栅区光刻で化嗑Ч枭÷骞饪蘝淡硼注入和推结一刻等位环铝鬃⑷牒屯平醎场区多晶硅刻蚀陆橹食粱辉た桃呖譥介质沉积.÷刻引线孔袈羅铝反刻潞辖餩表面钝化卵购盖饪蘝减薄胁鈅划片一烧结.÷压焊庾耙徊馐浴以档牢@此得鱒墓ぷ髟恚琕哺话愕墓β在栅极不加电压的情况下,牧讲喾直鹩朐醇玪、蚝屯庋硬形成两个幔捎谄渥璧沧饔梦蘼勐┰粗涞牡缪狗较蛉绾味蓟嵊幸桓鯬结反如果栅极加正电压ぜ蔷档模圆换嵊姓ぜǖ缌髁鞴5捎诘场的作用,栅极下面械亩嗍亓髯涌昭ū慌懦猓蛳略硕闭ぜǖ恼电压职裀基区中的少数载流子电子吸引到砻妗5盫大于F电压或阈值电压保ぜ翽基区表面的电子浓度将超过空穴浓度,使桶氲相沉积法积法一样有截止和导通两种状态。偏,不可能有电流通过,器件处于截止状态。垂直双扩散栅电阻的测试研究二、的结构与工作原理
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