全文预览

低压功率MOSFET+EOS失效机理研究

上传者:随心@流浪 |  格式:pdf  |  页数:69 |  大小:0KB

文档介绍
驼但其工艺较为复杂,尤其是其凹槽的刻蚀,栅氧化层会暴露,易受离子玷污,造成阈值电压的不稳定【】。还有凹槽处电场很大,严重影响击穿电压的提高,不利于器件的可靠性【俊緇俊3S玫腣如图荆芏嗟脑⒘R黄穑平面栅结构的ǔ细撸鴗功率由于其易于控制等优点,广泛应用于开关电源,马达驱动,汽车电子,通信设备和其它应用领域,工作频率也较高。尽管的等级和可靠性均比较好,并且易于驱动,但其导通电阻还始终不能足够低,这样导通状态下芷渥陨淼墓β仕鸷木秃艽蟆6鳬嫡ば退ḿ途骞结合了芎虰管的优点,以茏魑输入级,能很好的设计驱动电路,降低了驱动功耗,输出级采用双极型,能实现大电流输出,在同等条件下其饱和压降很。其一问世便得到电力与那鸾鲈谟贗茉黾恿艘桓鯬男统牡对,如图尽U庋ぷ魇保琍牡紫騈.漂移区注入大量空穴,从而使魄于电导调制状态,这样牡缱杪示湍芙档停逼骷哪脱箍梢宰龅煤芨撸在一定程度上克服了功率骷嬖诘牡纪ǖ缱韬突鞔┑缪辜涞拿堋5挡壅そ峁沟腣捎诩啥雀咴駼系停琑更小。电子产业的青睐。低压功率Щ淼难芯复旦大学硕士学位论文的缺点是引入了少子存储效应,即关断时,聚集在魄械拇罅吭亓髯又有依靠复合才能消失,使其频率特性较差。另一个缺点即它的结构会导致闩锁效应【】。因为少子存储效应,所以引入了一层,如图梢减少注入少子数量,提高少子复合速率,因而可以改善其开关速度。通常的工作电压能达数,电流能到达上百安培,在各种马达驱动,机车牵引中广泛应用。还有一个优点是它有较宽的安全工作区。下表将其性能与偷墓β势骷髁艘幌卤冉希特性类似于,将晶闸管的低通态损耗和β势骷母呤淙胱杩购鸵控制性结合起来,从而产生了相比,具有更明显的电导调制效应,在相同工作频率下具有更大的功率处图的结构和等效电路江丁驱动方法电流电压驱动电路复杂简单输入阻抗低高驱动功耗开关速度慢快一般工作频率低快安全工作区宽饱和压降表.功率琈虸谋冉。說窄低压功率Щ淼难芯复旦大学硕士学位论文

收藏

分享

举报
下载此文档