介电材料等)。溶解性的无机物质包含溶解性硅酸盐与氧化剂。 CMP 废水中的有机物包含界面活性剂、金属错合剂以及其他物质。为了移除在晶圆表面的上述物质,需要使用大量超纯水于 CMP 后续清洗程序。据统计,以一个拥有 20 个 CMP 制程机具的公司而言,每天将产生 700 m 3的 CMP 废水。根据文献的报导,在 1999年及 2000年估计分别有 4.088×108 m 3及超过 5.223×108 m 3的超纯水用于 CMP制程,此用水占了整个半导体用水的 40% 左右。如此庞大的 CMP 制程用水必定产生大量的 CMP 废水,此废水量大且碱度、总固体物及浊度高,因此必须妥善加以处理。目前所有的科技产业中,其中又以半导体组件产业为最受瞩目,其主要基本概念系经由高精密度的集成电路(Integrated Circuit, IC) 完成的电子电路组件与硅半导体所组合而成。简而言之,半导体产业可区分前、中及后端制程,前端制程为晶圆加工制造,中段制程为晶圆与电子电路组件制造以及后端的晶圆封装。在前及中段制程中,化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing, CMP) 扮演成功与否的关键技术。在强势的竞争环境下,企业主为了维持在业界的优势及塑造企业社会形象,近年投入大量的资本及人力,不断地提升整个制程技术高精密化、轻量化、功能性及更微小化并积极研发低污染性产品,以降低对环境生态的冲击。半导体业、图像处理以及生物科技产业所制造的污染物质,是具有其独特性,例如制程中常使用有机酸碱液、污染物质微小化等,用原有的处理技术及处理设备,是无法将污染物质去除。势必投入新的处理设备、提升处理技术等,才能将整个区内所有不同性质的废污水处理达到放流水标准。尤其是半导体产业的制程,所制造出来的化学机械研磨废液,其废液含有粒径极小、具高浊度、有机酸碱液以及后清洗程序中的超纯水。
全文预览
