电Р 阻率 1 Ohm*cm,经过标准扩散工艺),测量的仪器是椭圆偏振仪。Р Ø 点到点Р · 均匀性± 5 % Р · 折射率: 2,1 ± 0,05 Р 每片测量 5 点,其中 1 点在中心,另外 4 点位于硅片的 4 个角,距离硅Р 片边缘 1cm 处。Р Ø 片到片Р · 均匀性± 5 % Р · 折射率: 2,1 ± 0,05 Р 这表示同一石墨舟中不同位置的硅片上氮化硅薄膜平均厚度的偏差。每片Р 的氮化硅的平均厚度应按照上面一段所提到的方法进行测量,即每片测 5Р 点,并取平均值。Р Ø 批次到批次Р · 均匀性± 5 % Р · 折射率: 2,1 ± 0,05 Р 不同批次、处于石墨舟同一位置的硅片上薄膜厚度的偏差。Р1.1.2.1 石墨舟留下的痕迹Р 镀膜之后硅片上会有两个微小的点,这是石墨舟上支撑点与硅片接触形成的。Р Р 9РTechnical Description РSystem Description Р17.6.2009 Р2 炉体Р Ø 炉体包括下列子系统: Р · 加热器Р · 测温系统Р · 控制系统Р · 冷却系统Р · 安全系统Р2.1 加热器Р Ø 恒温区温控精度Р · 350-600°C: ±1,0°C Р Ø 加热器配置的优点Р · 优异的温度均匀性Р · 优异的温度稳定性Р · 长寿命Р · 满足各种所需的特性(升温速率,最高温度),得以优化动力消耗Р2.2 测温Р Ø 热电偶Р Ø 详细的型号和精度参见“系统技术参数和配置”. Р · 每个温区有两个热电偶Р −温度控制Р 温控热电偶直接(无补偿线)连接到现场总线(CAN)的放大器Р 上Р −过温保护Р · 每个温区另配备一个用于拉炉温的热电偶Р (如果需要级联控制) Р Ø 现场总线(CAN) 热电偶放大器Р · 电子式冷端参考温度(Pt 100) Р · 无模拟信号Р 10
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