方面取得了较大发展,从最早的常压系统发展到后来的低压系统,衬底托盘结构从固定式发展到后来的旋转式,极大提高了外延生长的均匀性,单台设备的腔体数也从一个发展到多个,大大提高了单台设备的生长效率。 MOCVD 设备已经进入了工业化批量生产时代[12-13] 。目前,全球的 MOCVD 设备制造市场已被德国的爱思强公司( Aixtron )和美国的维易科公司( Veeco )所垄断。爱思强和维易科的设备占整个市场份额的 90% 以上。德国爱思强在 1992 年生产出第一台采用行星式反应腔结构的多片式 MOCVD 设备, 并逐步开始占领 MOCVD 设备市场。至 2009 年,德国 Aixtron 公司已经为全球的半导体材料制造客户提供了近千套的 MOCVD 设备,大约占据全球市场份额的 68% , 而美国维易科公司在当时的份额还相对较小,约为 25% [7]。然而随着后者在技术上的不断创新,不断推出满足市场需求的新产品,实现了外延芯片的规模化生产。到 2012 年,维易科的市场份额已经从原来的 25% 升至约 60% ,爱思强的市场份额则降至 30% 以下,退至全球第二[14] 。日本企业在半导体技术方面,处于行业内最领先的位置, 然而日本企业在这些技术上, 采取对外严格封锁的策略[15] 。 Axitro n推出的 MOCV D设备中,在中国被广泛使用的主要产品包括 G4 、 AIX G5 HT 、 CRIUS II-XL 及 CRIUS II-L 等系统。 AIX G5 HT 采用的是行星反应腔体设计[16] , 一次性产量为: 56× 2 ’’、 14× 4 ’’、 8×6 ’’、5×8 ’’。 CRIUS II-L 系统则采用 THOMAS SWAN 典型的近场喷淋式反应腔设计[17] ,一次性产量为: 69×2 ’’、16×4 ’’、7×6 ’’、3×8 ’’。万方数据
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