好的特点,该膜能使芯片表面与周围的气氛完全相隔绝,具有以下3个方面特点:1)高温性能好;2)击穿电压高、可获得高反压器件;3)器件的反向漏电流小。具有上述3个方面特点的原理为:我们知道,在芯片制作过程中,尤其是台面型轴向二极管器件,其芯片台面上不可避免会沾附上沾污离子,当为金属沾污离子时,这类离子具有电荷转移的特性,使得芯片台面处的电导率增大,并产生复合中心,使PN结表面的反向漏电流增大,器件的性能降低,在常温下处于相对稳定的电荷物质,但在高温和强电场作用下,这些沾污杂质被电离,使得反向漏电流进一步增加、器件的击穿电压降低。玻璃钝化薄膜是微晶玻璃,具有玻璃网格结构,且膜的厚度较一般钝化膜厚,表面致密无针孔,具有负电荷性能的钝化层,能够固定住沾污离子,且在高温下能够阻止欲电离的电荷物质,阻止膜内离子的迁移和外界离子的浸入。玻璃钝化膜具有上述优点的同时,也有一些缺点:1)难于找到低熔点的玻璃粉,造成了在工艺操作上的不便,对于某些特殊器件,会影响到器件的成品率;2)玻璃膜一般较厚,兼外形封装,这就造成结构及成份比较复杂,难于进行物理分析;3)玻璃钝化膜对于温度应力和机械应力较敏感,在器件使用过程中,需要避免引入温度应力和机械应力而导致器件性能退化。五、结束语玻璃钝化实体封装轴向二极管器件,是国内非常成熟的器件,广泛应用于航空、航天、兵器、船舶等国家国防工程,器件可靠性水平的高低对我国国防建设的发展产生重要影响。作为一名军工人,我们有责任和义务去提高电子元器件的质量可靠性,这就需要我们对这类器件的工艺原理、关键原材料的质量和工艺水平的现状有更深入的了解和认识,通过工艺水平的提高、原材料质量的提高等措施,来提高器件的质量可靠性,以便更好的为国家国防建设配套服务。参考文献:[1]刘万万、许澄嘉、王国栋:玻璃钝化技术高压硅堆的应用《半导体技术》[2]台面型半导体装置的玻璃覆盖膜的形成方法