除已提到的产生正温度系数、便于并联运行的功能外,主要还有:节 5.1不必用辐照技术去减少关断时间,因为“透明集电区技术”也有此功能。因此不存在辐照使通态压降增加而增加通态损耗的可能。即(五)1中提到的“危险”。羈 5.2不采用“外延”工艺和“辐照”工艺,可以减低制造成本。蚆 6,表中所列的第五、第六代产品是在IGBT经历了上述四次技术改进实践后对各种技术措施的重新组合。第五代IGBT是第四代产品“透明集电区技术”与“电场中止技术”的组合。第六代产品是在第五代基础上改进了沟槽栅结构,并以新的面貌出现。羃请注意表中第五季第六代产品的各项指标改进十分明显,尤其是承受工作电压水平从第四代的3300V提高到6500V,这是一个极大的飞跃。莂上述几项改进技术已经在各国产品中普遍采用,只是侧重面有所不同。除此以外,有报道介绍了一些其它技术措施如:内透明集电极、砷掺杂缓冲层、基板薄膜化、软穿通技术等。荿 7,世界各IGBT制造公司的技术动态膄 7.1低功率IGBT螂摩托罗拉、ST半导体、三菱等公司推出低功率IGBT产品,应用范围一般都在600V、1KA、1KHz以上区域。蒂 7.2NPT-IGBT蒆在设计600—1200V的IGBT时,NPT—IGBT可靠性最高,正成为IGBT发展方向。西门子公司可提供600V、1200V、1700V系列产品和6500V高压IGBT,并推出低饱和压降DLC型NPT—IGBT,依克赛斯、哈里斯、英特西尔、东芝等公司也相继研制出NPT—IGBT及其模块系列,富士电机、摩托罗拉等在研制之中。袆 7.3SDB--IGBT蒁三星、快捷等公司采用SDB(硅片直接键合)技术,在IC生产线上制作第四代高速IGBT及模块系列产品,特点为高速,低饱和压降,低拖尾电流,正温度系数易于并联,在600V和1200V电压范围性能优良,分为UF、RUF两大系统。薁 7.4超快速IGBT
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