介РSIMS 的发展历程Р二次离子质谱法(SIMS)是利用一次离子束轰击样品表面后收集的二次离子信号来表征样品表面信息的一种分析手段。早在 20 世纪 30 年代,Arnot 等人[17]已经观察到二次离子发射现象。20 世纪 40 年代末,Herzog 和 Viehböck 等人[18]开始利用质谱分析与二次离子发射相结合。一次离子束的种类和二次离子发射对 SIMS 仪器设备的发展有着重要的影响。六十年代,先后发展了离子探针Р(SIMMS,如美国 ARL 公司的 IMMA 型商品谱仪)和直接成像(SIIMS,如法国 CAMECA IMS 300)质量分析器。同一世纪七十年代又提出和发展了静态二次离子质谱仪,主要以美国 PHI-Evans 公司制造的 TFS-2000 TOF SIMS 为代表。随着时代的进步,二次离子质谱仪的性能获得了不断改进和优化,已成为一种重要的的表面、界面分析手段。Р早些时期,SIMS 主要应用于从太空带回的样品中元素的空间分布和同位素分布,包括从 H 到 U 的所有元素。近二三十年来 SIMS 得到迅速发展,其分析对象包括金属、半导体、有机物、多层膜及生物膜等,随着仪器性能的不断改进,其应用范围日益广泛,从最初应用于物理、化学和生物等基础研究,很快扩展到冶金、陶瓷、微电子、医学和生物、工程地球和空间科学等重要领域[19-22]。Р随着应用领域对测试要求的进一步提高,SIMS 仪器迅速更新换代。早期美国 Physical Electronics 公司主要生产四极杆 SIMS;后来法国 CAMECA 公司采用双聚焦质量分析技术,其质量分辨率远高于四极杆 SIMS,大大提高测试精度。其中 CAMACA 公司生产的 IMS 系列产品也从最早的 IMS-3f 发展到现在的 IMS-7f,目前国内拥有这一系列产品的单位主要是:无锡华晶(IMS-3f)、中国Р4
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