晶的方法。一般先对温度高的共晶焊料共晶,再共晶温度低的。共晶炉控制系统可以设定多条温度曲线,每条温度曲线可以设定9段,通过链接的方式可扩展到81段,在温度曲线运行过程中可增加充气、抽真空、排气等工艺步骤。芯片载体的选择芯片载体的导电性能,导热性能以及CTE,是选用的参考标准。另外载体镀层厚度同样直接影响共晶焊接的强度,镀层太薄会造成焊料不能充分浸润,而导致形成空洞、焊接不牢,甚至掉片。镀层太厚成本太高。载体粗糙度及清洗载体表面不同的粗糙度对共晶效果有一定影响。载体镀金层表面的洁净度对焊接的质量影响也大,表面的无机物、有机污物,氧化物等都会造成共晶焊层的空洞,从而影响共晶质量。工艺参数的设定共晶参数除了温度控制工艺曲线以外,在不使用共晶炉,而采用共晶贴片机时,还需对温度、时间、气氛、摩擦速度、摩擦行程、摩擦时间、不同芯片大小、焊料大小、共晶台温度设置等参数通过多次实验来确定合适范围。空洞率的控制空洞的多少直接关系到芯片的散热、可靠性的高低,是共晶工艺首要需要解决的问题。它和焊料、温度、环境洁净度、材质、时间等多个因素都有关。只有通过实验,优化工艺参数来控制空洞率。金丝键合工艺金丝键合指使用金属丝(金线等),利用热压或超声能源,完成微电子器件中固电路内部互连接线的连接,即芯片与电路或引线框架之间的连接。金丝键合按照键合方式和焊点的不同分为球键合和楔键合。金丝球键合过程金线通过空心夹具的毛细管穿出,然后经过电弧放电使伸出部分熔化,并在表面张力作用下成球形,然后通过夹具将球压焊到芯片的电极上,压下后作为第一个焊点,为球焊点,然后从第一个焊点抽出弯曲的金线再压焊到相应的位置上,形成第二个焊点,为平焊(楔形)焊点,然后又形成另一个新球用作于下一个的第一个球焊点。金丝楔键合过程金丝楔键合是将两个楔形焊点压下形成连接,在这种工艺中没有球形成。楔焊过程图见图4-5,楔焊焊点实拍图见图4-6。
全文预览
