态的情况下要考虑带大功率和小功率负载两种情况。当控制信号为开, 即处于开态且连接的是大功率负载时, 低功耗开关主控单元输出持续的高电平, 触发单向可控硅 SCR 导通, 促使双向可控硅导通形成导通回路, 大功率负载得电; 当连接的是小功率负载时, 由于电流过小, 未达到双向可控硅的触发电流, 则双向可控硅不起作用, 电流直接经过单向可控硅,再经过电阻 R1 形成回路,从而实现能带小功率负载的功能。双向可控硅控制单元在前, 整流滤波单元和单向可控硅控制单元在后的设计, 既能使整流滤波单元和单向可控硅控制单元不发热, 又能大大减少双向可控硅控制单元的发热。本实用新型既能带大功率负载又能带小功率负载, 使用范围广, 而且带大功率负载时, 只有双向可控硅发热, 并在可接受范围内,提高开关可靠性。该电路的巧妙之处是利用交流电过零后的起始段部分来给主控制单元供电; 在电压上升到设定值之后,单向可控硅导通,电路便被旁路。这样,一方面保证了输出电压的稳定,解决了因为负载灯具电流的变化而影响电路自身供电的问题; 另一方面, 由于可控硅工作于开关状态,其有自身压降小、功耗低等优点。要想改变电源模块在开态时输入电压的高低,只要改变稳压二极管的稳压值就可以轻易实现。该方法加入了高反压三极管 MMBTA44 ,所以可控硅的触发电流不再由电源模块提供,对于常用的 10A 以下的单双向可控硅都可以直接触发, 并且对电路的延时时间没有限制, 只是不适用于多路控制。但要注意当可控硅导通后, 模块的输出电流不能大于 1mA ,就是说控制芯片电路的静态电流不能超过 1mA 。因为这种取电电路当输出电流大于 1mA 后,模块的输出电压下降较多,同时为了防止误触发,单向可控硅的触发电流最好大于 30μA。仿真图如下所示: 市电经过整流桥 D3 之后,当电压没达到 6V 的时候,可控硅 D4 截止,电容 C1 充电;