率为47Ω·cm,试求本征载流子浓度。若掺入锑杂质,使每106个锗原子中有一个杂质原子,计算室温下电子浓度和空穴浓度。设杂质全部电离。锗原子的浓度为4.4×1022/cm3,试求该掺杂锗材料的电阻率。设µn=3600cm2/(V·s),µp=1700cm2/(V·s)且认为不随掺杂而变化。ni=2.5×1013cm-3。9、在半导体锗材料中掺入施主杂质浓度ND=1014cm-3,受主杂质浓度NA=7×1013cm-3,设室温本下本征锗材料的电阻率为ρi=60Ω·cm,假设电子和空穴的迁移率分别为µn=3800cm2/(V·s),µp=1800cm2/(V·s),若流过样品的电流密度为52.3mA/cm2,求所施加的电场强度。10、某n型半导体硅,其掺杂浓度ND=1015cm-3,少子寿命τp=5µs,若由于外界作用,使其少子载流子全部被清除(如反向偏压的pn结附近),试求此时电子-空穴的产生率是多大(设ni=1.5×1010cm-3)?11、某p型半导体中的掺杂浓度NA=1016cm-3,少子寿命τn=10µs,在均匀光的照射下产生非平衡载流子,其产生率g=1018cm-3·s,试计算室温时光照射情况下的费米能级并和原来无光照时的费米能级比较。(设本征载流子浓度ni=1010cm-3)12、下图为p型半导体在光照射前后的三组能带图,问哪一组简图能正确地反映这一变化情况。13、平衡pn结有什么特点,画出势垒区中载流子飘移运动和扩散运动的方向。14、如图所示,p型和n型半导体材料接触结,试画出热平衡时的能带图,并标出势垒高度和势垒宽度。15、推导pn结自建电动势方程16、有锗pn结,设p区的掺杂浓度为NA,n区的掺杂浓度为ND,已知ND=102NA,而NA相当于108个锗原子中有一个受主原子,计算室温下接触电位差VD。若NA浓度保持不变,而ND增加102倍,试接触电位差的改变。
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