电子产品静电防护要求

先断信号后断电源的程序。c.不允许在电源接通情况下,插拔待调试及检验的ESDS产品和组件。操作环境及其他要求在防静电工作台上不允许堆放塑料盒(片)、橡皮、书本、纸板、资料、文具、玻璃等易于产生静电的杂物。必要的工艺文件、资料等应装入防静电文具袋内。附录AESDS电子元器件(资料性附录)A1电子元器件的静电敏感度的分级按QJ1875-1990规定的敏感度试验方法进行分级A1.11级(≤1999V)ESDS元器件a.微波器件(肖特基二极管,点接触二极管和f>1GHz的检波二极管);b.MOS场效应晶体管(MOSFET);c.结型场效应晶体管(JFET);d.声表面波器件(SAW);e.D);f.精密稳压二极管(线性或负载电压调整率小于0.5%);g.运算放大器(OPAMP);h.集成电路(IC);i.混合电路(1级ESDS元件组成);j.特高速集成电路(VHSIC);k.薄膜电阻器;l.可控硅整流器(SCR)。A1.22级(2000~3999V)ESDS元器件a.MOS场效应晶体管;b.结型场效应晶体管;c.运算放大器;d.集成电路;e.特高速集成电路;f.精密电阻网络(RZ型);g.混合电路(2级ESDS元件组成);h.低功率双极型晶体管(Pt≤100mW,IC<100mA)。A1.33级(4000~159999V)ESDS元器件a.MOS场效应晶体管;b.结型场效应晶体管;c.运算放大器;d.集成电路;e.特高速集成电路;f.ESDS1级或2级不包括的所有其他微电子器件;g.小信号二极管(P<1W或I0<1A);h.一般硅整流器;i.可控硅整流器(I0>0.175A);j.小功率双极型晶体管(350mW>Pt>100mW和400mA>IC>100mA);k.光电器件(光电二极管、光电晶体管、光电耦合器);l.片状电阻器;m.混合电路(3级ESDS元器件组成);n.压电晶体。