次设计并对设计的电路进行仿真分析。第三章主要介绍版图的一些基本概念和本次设计的版图。第四章主要介绍了本次验证使用的工具Diva,并对设计好的版图进行验证。第五章对本次设计工作进行总结。Р2 基准电压源电路设计Р基准电压源是模拟集成电路的重要组成部分,主要作用是为串联型稳压电路、A/D和D/A转化器提供基准电压,也可用作传感器的稳压供电电源或激励源。另外还可以作为标准电池、仪器表头的刻度标准和精密电流源。理想电压源具有好的初始精度,并在负载电流、温度和时间变化时电压保持稳定不变。Р2.1 基准电压源的分类及特点Р根据拓扑结构,基准电压源主要有齐纳基准、隐埋齐纳基准,XFET基准和带s联式电路或者三端串联式电路。Р1、齐纳基准Р根据电压求和模式,基准参考电压源最初利用齐纳二极管(Zener Diode)设计,它是通过调节自身电流,并配合限流电阻来抵消电源电压的变化。齐纳二极管基准源的电源电压高于7V,工作电流一般为几毫安,齐纳基准在这里指的是表层齐纳基准。Р它成本低,封装小,工作电压范围宽。但是功耗大,初始精度低,温度系数差,输入电压调整率不好,因为齐纳(雪崩)二极管的击穿电压发生在硅表面层(图2.2(a)),由于硅芯片表层与其内部相比有更多的杂质、品格缺陷和机械应力,容易受到表面氧化层中迁移电荷及外界环境的影响,噪声较大、长期稳定性差。使用时需根据供电电压和负载电流串接一个电阻为其提供恒定电流,以便保持输出电压稳定。齐纳基准通常用于要求不高的场合,或用作电压钳位器。Р2、隐埋齐纳基准Р为了克服表层齐纳二极管的缺点,改进制造工艺的隐埋齐纳二极管结构得到了广泛应用,掩埋型齐纳二极管是一种比常规齐纳二极管更稳定的特殊齐纳二极管,这是因为它采用了将击穿区植入硅表面以下的结构,使其击穿发生在表面表层的下面,从而可以避免表层的影响,使其在温度漂移、时间漂移和噪声特性等方而得到明显的改善。
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