热电效应—两种不同的导体或半导体形成闭路,其两个节点分别置于不同温度的热源中,则该回路会产生热电动势。(5分)Р(2)用计算校正法修正后的真实被测温度。(5分)РE(T,0) = E(800,30) + E(30,0) = 33.28 + 1.20 = 34.48 mVР 查表:得 T = 829℃(5分)Р七、(10分)用“霍尔效应”制成的电流传感器在恒磁场下测得电流IH与霍尔电势UH的实验数据如下:РIH (mA)Р5Р10Р15Р20Р25Р30РUH (mV)Р9.6Р19.0Р28.4Р37.8Р47.8Р58.0Р简述“霍尔效应”。(5分)Р“霍尔效应”:半导体薄片在垂直磁场中,在一侧通以电流,则另一侧将产生电场。(5分)Р合理选择一种直线拟合方法求其零点输出与灵敏度。(5分)Р端基法(扣2分)y=a0+KxР 最小二乘法(8分)=1.93 n=6; X=IH ; Y=UHР a0= = -0.035РUH = -0.035 + 1.93 IH 零点输出:0.035mV 灵敏系数K = ΔY/ΔX 1.93 (mV/mA) Р八、(10分)用“光电效应”制成的光电耦合器在自动检测系统中常用来“隔离”I/O与MCU系统,以达到抗干扰目的。Р(1)简述“光电效应”。(5分)Р“光电效应”:分内、外光电效应;Р外光电效应:在光电作用下,物体内的电子逸出物体表面,向外发射。(2分)Р内光电效应:受光照的物体导电率发生变化或产生光生电动势的效应。(3分)Р(2)画出一种光电耦合器的组成形式。(5分)Р解:Р九、设计一个基于微处理器的多路数字采集系统并画出原理框图(10分)。Р解:Р多路转换器Р增益可调的放大器РA/DР微处理器单元Р通讯电路Р显示电路Р多路转换器Р增益可调的放大器Р。。。。。。РBР。。。。。。Р。。。。。。РA/DР。。。。。。Р传感器Р传感器Р每框1分
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