阻挡层的形成或在阻挡层形成后将之清除掉, 使衬底表面暴露出来。阻挡层在离子轰击较弱的地方( 如侧壁) 保护表面不被刻蚀。常用的阻挡层先驱物粒子包括 CF2 、 CF3 、 CCl2 等,可以形成碳氟或碳氯聚合物薄------------------------------------------------------------------------------------------------ ——————————————————————————————————————膜。这种刻蚀工艺可以得到具有垂直侧壁的高度各向异性的刻蚀结果。如刻蚀深度达到几百微米的深硅刻蚀主要就是利用刻蚀过程( Bosch 工艺) 。使用 SF6 作为刻蚀气体, C4F8 作为钝化抑制气体, 刻蚀和钝化过程交替进行,实现侧壁垂直的深硅刻蚀。四、影响刻蚀效果的因素 ICP 工艺中影响刻蚀效果的因素很多。工艺参数里包括源功率、偏压功率、刻蚀气体及流量、工作气压和温度等。此外, 掩膜的制备和反应室内壁的情况对刻蚀结果也有很重要的影响。 1. 掩膜的影响 ICP 刻蚀是图形转移的过程,因此掩膜的制备对刻蚀非常重要。最常见的掩膜是光刻胶( Photoresist,PR )、 SiO2 和金属(如 Al、 Ni等)。一个好的掩膜要求陡直度较高,边缘光滑,底部去除干净无残留,抗高温和抗轰击能力强。掩膜的陡直度和边缘的光滑程度直接影响刻蚀剖面的陡直度和侧壁的光滑程度。虽然可以通过工艺参数的调整改善刻蚀形貌, 但是效果远不如掩膜质量的改善。因此高质量的光刻技术对刻蚀非常重要。(1 )几乎所有的掩膜制备都需要由光刻制备,光刻胶掩膜的制备最容易,精度也最高。但是,光刻胶的抗高温和抗轰击能力很差, 只能用于低温工艺,通常选择比也较低。对于光刻胶掩膜,一般在显影后需要经历一个高温处理的过程, 称为坚膜。坚膜可以去除光刻
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