最多,最为成熟的并联型的并联补偿设备,它也是一类较早得到应用的FACTS控制器。静止无功补偿器(SVC)包括与负荷并联的电抗器或电容器,或两者的组合,且具有可调/可控部分。可调/可控电抗器包括晶闸管控制电抗器(TCR)或晶闸管投切电抗器(TSR)两种形式。电容器则通常包括与谐波滤波器电路结合成一体的固定的或机械投切的电容器,或者对电容进行高速或频繁投切时所采用的晶闸管投切的电容器(TSC)等形式。(1)自饱和电抗器(SaturatedReactor,SR)优点是勿需复杂的控制系统,维护较简单,反应时间较短,运行可靠。缺点是噪音大,本身在三相不平衡时产生较多谐波电流。工作点受电压波动的影响较大,制造工艺复杂且价格较高,在大容量领域难以广泛应用。(2)可控硅投切电容器(ThyristorSwitchedCapacitor,TSC)特点是反应时间快,适用范围广,分相调节且装置本身不产生谐波,损耗小;但只能分级调节,且价格较高。10KV以上难以广泛应用,而在1kV以下使用很广,进口设备最高用在8kV。(3)可控硅控制电抗器(ThyristorControlledReactor,TCR)具有反应时间快(10-20ms),无级调节,分相调节,补偿无功,平衡有功,运行可靠,适用范围广,价格较便宜等优点,实际应用最广,在抑制电弧炉负荷产生的闪变时,几乎都采用这种型式。(4)可控硅控制高漏抗变压器(ThyristorControlledTransformer,TCT)具有TCR几乎所有的优点。由于TCT变压器一、二次绕组损耗较大,比TCR的效率低:同时,运行时噪声较大。研究表明,从补偿器容量和价格等角度进行综合比较,补偿容量在25Mvar以下选用TCT比较经济,在25Mvar以上的补偿容量则不宜采用TCT而应采用TCR.图1-1SVC的常见组合方式表1-1中列出了以上四种型式的综合性能比较。