使用SCAPS-1D 软件仿真Zn1-xMgxO作缓冲层的Cu(In,Ga)Se2薄膜电池

T, Matsui T, Takakura H, Hamakawa Y, Negami T, Hashimoto Y, Uenoyama T, Kitagawa M.РTheoretical analysis of the effect of conduction band offset of window/CIS layers on performance of CIS solarРcells using device simulation [J]. Solar Energy Materials and Solar Cells, 2001, 67(1-4): 83-88.Р245Р使用 SCAPS-1D 软件仿真 Zn1-xMgxOР作缓冲层的 Cu(In,Ga)Se2 薄膜电池Р孙琳,何俊Р(极化材料与器件教育部重点实验室,电子工程系,华东师范大学上海,200241)Р250Р255Р?摘要:使用 SCAPS-1D 软件对 Zn1-χ Mgχ O 缓冲层/Cu(In,Ga)Se2 电池的界面复合进行建Р模, 并对这些 Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) 薄膜电池的性能进行系统的仿真。 Zn1- χ Mg χРO/Cu(In,Ga)Se2 电池界面复合是突出问题,对于 Cu(In,Ga)Se2(Eg=1.15eV)电池而言РZn1-χ Mgχ O 是非常合适的缓冲层替代者。尽管 CIGS 与 Zn1-χ Mgχ O 之间合适的导带偏移Р能通过增加 Mg 的含量获得,但是随着 Zn1-χ Mgχ O 带宽从 3.6eV 增加到 4.0eV,CIGS 电池Р的效率逐渐降低。这个仿真的结果可以解释串联电阻是由耗尽层中 ZnO 窗口层与РZn1-χ Mgχ O 缓冲层的 n-n 异质结形成的。Р关键词:微电子学与固体电子学;薄膜;界面;缺陷;Р中图分类号:TM 23Р-8-