间部分对应的电阻为 R 2=2Ω, 电源电动势 E=2V, 电源内阻 r=1Ω, 电阻 R 1=2Ω, 其他电阻不计。装置所在区域存在一垂直于斜面 MPQN 的匀强磁场。(已知 sin37 °= 0.6 , cos 37°= 0.8 , 2 10m/s g?)求: (1) 所加磁场磁感应强度方向; (2) 磁感应强度 B 的大小。 A BθPQ ab R 2ErR 1N Mθθ S 20.(8 分) 如图所示, 匀强电场方向沿 x 轴的正方向, 场强为 E。在 A(l,0) 点有一个质量为 m, 电荷量为 q 的粒子,以沿 y 轴负方向的初速度 0v 开始运动,经过一段时间到达 B(0 ,-2l) 点。不计重力作用。求: (1) 粒子的初速度 0v 的大小。(2) 粒子到达 B 点时的速度 v 的大小及方向。 21.(10 分) 如图所示,Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ为电场和磁场的理想边界, 一束电子( 电量为 e, 质量为 m, 重力不计) 由静止状态从 P 点经过Ⅰ、Ⅱ间的电场加速后垂直到达边界Ⅱ的Q点。匀强磁场的磁感应强度为 B ,磁场边界宽度为 d ,电子从磁场边界Ⅲ穿出时的速度方向与电子原来的入射方向夹角为 30° 。求: (1 )电子在磁场中运动的时间 t; (2 )若改变 PQ 间的电势差,使电子刚好不能从边界Ⅲ射出,则此时 PQ 间的电势差 U 是多少? dB QP ●ⅠⅠⅢⅡ磁感应强度为 B =0.6T 20. 21. (1)由 evB =R vm 2v RT ?2?得电子在磁场中运动周期 eB mT ?2?电子在磁场中运动时间 t=T ?? 360 30 =T12 1 t= eB m6 ?(2 )电子刚好不从边界Ⅲ穿出时轨迹与边界相切,运动半径为 R=d 由 evB =R vm 2 得m eBd v? PQ 间由2 2 mv eU ?得 2 2 2 eB d Um ?
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