阻率,并适当调整其他参量,以满足其他电学参数的要求。 V BV BV CEO n CBO5. 222 60 50 11 3???????对于击穿电压较高的器件,在接近雪崩击穿时,集电结空间电荷区已扩展至均匀掺杂的外延层。因此,当集电结上的偏置电压接近击穿电压 V时,集电结可用突变结近似,对于 Si器件击穿电压为 4 3 13 10 6 ???) ( BC BNV ,由此可得集电区杂质浓度为: 3 4 13 3 4 13)1 10 6 10 6 CEO n CBO C BV BV N??????( ) ( 根据公式,可算出集电区杂质浓度: 3 15 3 15 3 43 13 3 4 13 3 4 13 10 2 10 7.1) 60 50 1 10 6()1 10 6 10 6 ??????????????? cm cm BV BV N CEO n CBO C?( ) ( 一般的晶体管各区的浓度要满足 N E>>N B>N C,故, 318 31610 *210 ???? cm N cm N E B,所以取因为图1室温下载流子迁移率与掺杂浓度的函数关系(器件物理 55页) 查图 1得到少子迁移率: sV cm NC???/ 1332 2?? sV cm PB???/437 2??sV cm NE???/200 2??根据公式可知: s cm q / 4988 . 34 1332 0259 .0 2 0?????s cm q TkD BB/ 3183 . 11 437 0259 .0 2 0?????s cm q TkD EE/ 18 .5 200 0259 .0 2 0?????图2掺杂浓度与电阻率的函数关系(器件物理 59页) 根据图 2,可得到不同杂质浓度对应的电阻率: cm C???7??(即衬底选用的电阻率) cm B???5.0?? cm E??? 045 .0??
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