传导骚扰依据CISPR 25—2008 6.3 要求最低等级三 4H 研发阶段Р54 Radiated Emissions 辐射骚扰依据CISPR 25—2008 6.4 要求最低等级三 4H 研发阶段Р55 Bulk Current Injection 大电流注入根据ISO 11452-1—2005 和ISO 11452-2—2004的测试方法进行,Class C(最高200mA注入电流,15M-88M)要求最低性能等级达到C;ClassB(最高80mA注入电流,15M-88M)要求最低性能等级达到B 4H 研发阶段Р56 RF Radiated Immunity 辐射抗干扰根据ISO 11452-1—2005 和ISO 11452-2—2004的测试方法进行,Class C(最高140V/m)要求最低性能等级达到C;ClassB(最高60V/m)要求最低性能等级达到B 4H 研发阶段Р57 Electrical Transient Conducted Immunity Test ?瞬态传导抗干扰根据ISO7637-2 2004进行测试对电源线施加干扰脉冲: pulse1:-100V pulse1b:30V pulse2a:75V pulse3a:-150V pulse3b:100V 4H 研发阶段Р58 Electrical Transient Coupling Immunity Test ?瞬态耦合抗干扰根据ISO7637-3 2004进行测试法 4H 研发阶段Р59 Electrical Disturbances from Electrostatic Discharge 防静电试验根据ISO 10605-2008进行测试,最高15KV 4H 研发阶段Р60 ic Field Immunity 磁性扫描抗干扰根据ISO 11452-8—2007要求进行 4H 研发阶段
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